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適用于RFID的LSI
  富士通半導體開發并生產了適用于RFID的LSI,覆蓋了HF(高頻:13.56MHz)和UHF(超高頻:860至960MHz)。嵌入式FRAM是其最佳的特性之一;FRAM可以實現更高的速度寫入,更低的功耗和更高的耐久力。我們推出的具有大存儲尺寸的無源RFID廣泛用于世界各地。
適用于RFID標記的富士通LSI的主要特性
  ● 高速寫入性能:通過嵌入式FRAM的高性能增強了寫入操作的吞吐量。
  ● 穩定的通信距離:在低功耗模式下寫入,在寫入和讀取操作上都實現了相同的通信距離。
  ● 相比之下,E2PROM的標記在寫入操作上消耗了更大量的功率,讓通信距離變得更短。
  ● 高密度存儲器:高速寫入特性使其在標記上成為大容量存儲器。但是標記嵌入式E2PROM的速度還不夠快,不足以采用大容量存儲器。
  ● 耐久力長:保證了最高1百萬兆次的讀/寫操作,這一特性實現了標識的長期應用或復用。
  ● 抗輻射性強:即使經過伽馬射線的照射或干擾,還是能保持數據。同時,嵌入標記的E2PROM從理論上講,抗輻射能力較弱。
  ● 適用的國際標準:富士通的RFID LSI產品陣列符合ISO15693和ISO18000-3, 6標準。
可提供的FRAM RFID標記應用
采用FRAM,RF標記的高速性能圖片
  <高速性能的作用>
  ● 標記本身的記錄歷史和質量檢測
  ● 不打開封裝的情況下,在設備標記上變更參數
  ● 通過提升輸出量來降低系統成本
  ● 在離線時能夠構建系統
FRAM RFID
P/N 音頻范圍 存儲器性能 命令 串行接口 數據保留時間 讀/寫耐受力
MB97R803A/B 256Kbit 2.7 至 5.5V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+70℃)
MB97R804A/B 128Kbit 2.7 至 3.6V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃)
MB97R7051 64Kbit 2.7 至 3.6V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃)
MB89R118C 64Kbit 3.0 至 5.5V 400KHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃)
MB89R119B 16Kbit 2.7 至 3.6V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃)
MB89R112 16Kbit 3.0 至 5.5V 1MHz -40 至 +85℃ 1012次 (1萬億次) 10年 (+85℃)
FerVID系列產品發展路線圖
適用于嵌入式應用MB9BF506RA-EVB-RF-01的RFID開發套件
  搭載了FM3微控制器的MB9BF506R的微控制器板和搭載了MB97R804B的天線板通過一個SPI接口相結合。微控制器板具有溫度、濕度和光源傳感器, 一個3軸加速計,一個時鐘函數和一個LCD,都通過一個I2C接口與它們互聯。傳感器周期性的數據采集由LCD顯示,并可以運行由閱讀器/記錄器讀取的應用。天線板的主頻率約為920MHz。當通過PC上的USB連接器將天線板與PC相連接時,微控制器固件可以在板上進行寫入。可以為評估創建和執行演示及程序。可以通過將ICE接口用作適用于微控制器開發套件的固件對天線板進行應用。
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